2N7002LT1G N-kanāls 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs RoHS

Īss apraksts:

Ražotāja daļa: 2N7002LT1G
Ražotājs: ON Semiconductor
Iepakojums: SOT-23(SOT-23-3)
Apraksts: MOSFET 60V 115mA N-kanāls
Datu lapa: lūdzu, sazinieties ar mums.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Produkta parametrs

Atribūts	Vērtība
Ražotājs:	ON Pusvadītājs
Produkta kategorija:	MOSFET
RoHS:	Sīkāka informācija
Tehnoloģija:	Si
Montāžas stils:	SMD/SMT
Iepakojums/kaste:	SOT-23-3
Tranzistora polaritāte:	N-kanāls
Kanālu skaits:	1 kanāls
Vds — drenāžas avota sadalījuma spriegums:	60 V
Id — nepārtrauktas drenāžas strāva:	115 mA
Rds ieslēgts — pretestība pret aizplūšanu:	7,5 omi
Vgs — vārtu avota spriegums:	- 20 V, + 20 V
Vgs th — vārtu avota sliekšņa spriegums:	1 V
Minimālā darba temperatūra:	-55 C
Maksimālā darba temperatūra:	+ 150 C
Pd — jaudas izkliede:	300 mW
Kanāla režīms:	Uzlabojums
Iepakojums:	Izgriezt lenti
Iepakojums:	MouseReel
Iepakojums:	Spole
Konfigurācija:	Viens
Augstums:	0,94 mm
Garums:	2,9 mm
Produkts:	MOSFET mazs signāls
Sērija:	2N7002L
Tranzistora tips:	1 N-kanāls
Veids:	MOSFET
Platums:	1,3 mm
Zīmols:	ON Pusvadītājs
Pārvadītspēja uz priekšu — min:	80 ms
Produkta veids:	MOSFET
Rūpnīcas iepakojuma daudzums:	3000
Apakškategorija:	MOSFET
Tipisks izslēgšanas aizkaves laiks:	40 ns
Tipisks ieslēgšanas aizkaves laiks:	20 ns
Vienības svars:	0,000282 unces