MMBT2907ALT1G PNP 600mA 60V 300mW SOT-23(SOT-23-3) bipolāri tranzistori – BJT RoHS

Īss apraksts:

Ražotāja daļa: MMBT2907ALT1G
Ražotājs: ON Semiconductor
Iepakojums: SOT-23(SOT-23-3)
Apraksts: Bipolāri tranzistori – BJT 600mA 60V PNP
Datu lapa: lūdzu, sazinieties ar mums.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Produkta parametrs

Atribūts	Vērtība
Ražotājs:	ON Pusvadītājs
Produkta kategorija:	Bipolāri tranzistori - BJT
RoHS:	Sīkāka informācija
Montāžas stils:	SMD/SMT
Iepakojums/kaste:	SOT-23-3
Tranzistora polaritāte:	PNP
Konfigurācija:	Viens
Kolektors- emitera spriegums VCEO Max:	- 60 V
Kolektora bāzes sprieguma VCBO:	- 60 V
Emitera bāzes spriegums VEBO:	5 V
Kolektora-emitera piesātinājuma spriegums:	- 1,6 V
Maksimālā līdzstrāvas kolektora strāva:	0,6 A
Pd — jaudas izkliede:	225 mW
Palielināt joslas platumu produkts fT:	200 MHz
Minimālā darba temperatūra:	-55 C
Maksimālā darba temperatūra:	+ 150 C
Sērija:	MMBT2907AL
Iepakojums:	Izgriezt lenti
Iepakojums:	MouseReel
Iepakojums:	Spole
Augstums:	0,94 mm
Garums:	2,9 mm
Tehnoloģija:	Si
Platums:	1,3 mm
Zīmols:	ON Pusvadītājs
Nepārtraukta kolektora strāva:	- 0,6 A
Līdzstrāvas kolektora/bāzes pastiprinājuma hfe min.:	75
Produkta veids:	BJT - bipolāri tranzistori
Rūpnīcas iepakojuma daudzums:	3000
Apakškategorija:	Tranzistori
Vienības svars:	0,001058 unces